特許
J-GLOBAL ID：201103069280959107
高結晶性メソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法、並びにそのメソポーラスシリカ薄膜を用いたクラスター包接薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長濱 範明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264694
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099384
特許番号：特許第4461352号
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜であって、
前記メソポーラスシリカ薄膜を下記測定条件:
線源:CuKα
X線管電圧:30kV
X線管電流:20mA
DS:0.5
SS:0.5
RS:0.3
によりX線回折測定した場合において、前記メソポーラスシリカ薄膜のX線回折測定における(100)面を示すピークの強度が50000cps以上であり、かつ前記ピークの半値幅が0.21°以下であることを特徴とする高結晶性メソポーラスシリカ薄膜。
IPC (4件)：
C01B 37/02 ( 200 6.01)
, B01J 19/00 ( 200 6.01)
, B01J 20/10 ( 200 6.01)
, B01J 20/30 ( 200 6.01)
C01B 37/02 ZNM
, B01J 19/00 K
, B01J 20/10 A
, B01J 20/30
