特許
J-GLOBAL ID：201103069329189604
分布帰還型半導体レーザとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012126
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332809
特許番号：特許第3842976号
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)半導体基板上に、下部バリア層と前記下部バリア層よりも狭いバンドギャップを有する下部ウェル層とを交互に成長して下部量子井戸構造を形成する工程と;
(b)最上の下部ウェル層の上に、下部ウェル層よりも広いバンドギャップを有する中間層を下部バリア層より厚く成長する工程と;
(c)前記中間層の上に上部ウェル層と前記上部ウェル層よりも広いバンドギャップを有し、前記中間層よりも薄い厚さを有する上部バリア層とを交互に成長して上部量子井戸構造を形成する工程と;
(d)前記上部量子井戸構造の上に周期的パターンを有する第1マスクを形成する工程と;
(e)前記第1マスクをエッチングマスクとして用い、前記中間層をエッチングマージン層として前記上部量子井戸構造を周期的形状にエッチングする工程と;
(f)前記第1マスクを除去する工程とを含む分布帰還型半導体レーザの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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