特許

J-GLOBAL ID：201103069418086436

超臨界処理装置及び超臨界処理方法

発明者： 戸島 孝之 ,  岩下 光秋 ,  光岡 一行 ,  岡本 秀一 ,  生津 英夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
代理人 (2件)： 井上 俊夫 ,  瀧澤 宣明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-049567
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187570
出願日： 2010年03月05日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

超臨界流体により基板に対して処理を行う密閉可能な処理容器と、 この処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する液体供給部と、 前記処理容器から前記超臨界流体を排出する流体排出部と、 前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除するための熱分解成分排除部と、 前記処理容器内に供給された前記液体を加熱する加熱部と、を備え、 前記フッ素化合物は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであることを特徴とする超臨界処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647A

Fターム (26件)：

5F046MA18 ,  5F146MA18 ,  5F157AA73 ,  5F157AA77 ,  5F157AA93 ,  5F157AB02 ,  5F157AB44 ,  5F157AC04 ,  5F157AC53 ,  5F157BB22 ,  5F157BB66 ,  5F157BC33 ,  5F157BC55 ,  5F157BD26 ,  5F157BD54 ,  5F157BF04 ,  5F157BF22 ,  5F157BF32 ,  5F157BF54 ,  5F157BF59 ,  5F157CE64 ,  5F157CE72 ,  5F157CE73 ,  5F157CE74 ,  5F157CF34 ,  5F157DA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超臨界処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-125375   出願人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
• 洗浄装置、洗浄システム、処理装置及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-235754   出願人：東京エレクトロン株式会社
• デバイス基板の洗浄方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2007057497   出願人：旭硝子株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社