特許
J-GLOBAL ID：201103069486378046

半導体ウェーハ上のギャップの充填方法

発明者：
マルクス キルヒホフ

マルクス キルヒホフ について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース エスシー300 ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース エスシー300 ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-606046
特許番号：特許第3492634号
出願日： 2000年03月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェーハ上のギャップを誘電材料で充填する方法において、次の工程:- 前記の半導体ウェーハ(2)をプラズマエンハンスド化学蒸着処理装置の反応室中に挿入し、- プラズマ条件下及び真空条件下にCVD堆積を実施して、反応ガスを用いて、前記の誘電材料(3a,...,3d;8a,...,8e)を前記の半導体ウェーハ(2)上に堆積させ、- この場合、前記装置の前記反応室中の反応ガス圧は100ミリトル〜10トル(≒0.013〜1.3kPa)の範囲内にあり、- その際、前記反応ガスは、ハロゲン成分不含かつオゾン不含であり、かつ窒素を含有し、- 500°Cを上回る温度でCVD堆積の工程を実施し、- 引き続くポリシングの工程中にノッチを平坦化することを含むことを特徴とする、半導体ウェーハ上のギャップを誘電材料で充填する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 P
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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