特許
J-GLOBAL ID：200903086320343523

高膜品質で水素含有量の低い窒化ケイ素を堆積するプラズマプロセス

発明者：
フアン, ジュディ

フアン, ジュディ について

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ヨー, ワイ-ファン

ヨー, ワイ-ファン について

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チェン, デイヴィッド

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出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559586
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520849
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：
【要約】低水素含有量および高品質を有する窒化ケイ素膜を製造するための方法および装置を提供する。高品質プラズマCVD窒化物層が、シランおよび窒素を含む前駆体ガスから400°Cと600°Cとの間のプロセス温度で形成される。改良された窒化物層は、エッチストップ層、スペーサ、および浅いトレンチ分離のためのおよびプリメタル誘電体層でのライニング層として使用される。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内で窒化ケイ素層を堆積する方法であって、 第1プロセスガスおよび第2プロセスガスを含むプロセスガスを前記真空チャンバ内へ流入させるステップであり、前記第1プロセスガスがシランであり、前記第2プロセスガスが窒素であるステップと、 前記真空チャンバ内で、約2Torrを超えて約8Torr未満の圧力を維持するステップと、 前記真空チャンバ内で前記プロセスガスからプラズマを発生するステップと、 前記真空チャンバ内で、約400°Cを超えて約600°C未満の温度を維持するステップと、 窒化ケイ素層を堆積するために、前記真空チャンバ内に前記プラズマを維持するステップと を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/34
Fターム (26件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F058BA04 ,  5F058BA10 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ07
引用特許：
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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