特許
J-GLOBAL ID：201103069499124540
半導体ウェーハの樹脂被覆方法及び金型
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-254933
特許番号：特許第4253393号
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 バンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面に設けた樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に前記半導体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キャビティ底面とは反対側にした状態で、載置供給する半導体ウェーハの供給工程と、
前記金型キャビティ内に樹脂材料を所要量供給する樹脂材料の供給工程と、
前記金型の他方の型面にバンプ露出用フィルムを張設するフィルムの張設工程と、
前記金型を型締めする金型の型締工程と、
前記金型キャビティ内で前記樹脂材料を加熱溶融化する樹脂材料の加熱溶融化工程と、
前記金型の他方の型面に設けた押圧部材で前記フィルムを前記金型キャビティ方向に押圧する押圧部材による押圧工程と、
前記押圧部材による押圧工程時に、前記金型キャビティ内で前記バンプ先端部に前記フィルムを当接するフィルムの当接工程と、
前記押圧部材による押圧工程時に、前記フィルムを介して前記金型キャビティ内の樹脂を加圧することによって前記した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの樹脂被覆方法。
IPC (7件)：
B29C 43/18 ( 200 6.01)
, B29C 43/34 ( 200 6.01)
, B29C 43/36 ( 200 6.01)
, B29C 43/52 ( 200 6.01)
, B29C 43/58 ( 200 6.01)
, H01L 21/56 ( 200 6.01)
, B29L 31/34 ( 200 6.01)
B29C 43/18
, B29C 43/34
, B29C 43/36
, B29C 43/52
, B29C 43/58
, H01L 21/56 R
, B29L 31:34
