特許
J-GLOBAL ID：201103069796879916

半導体装置の製造方法

発明者：
下村 奈良和

下村 奈良和 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-244881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057222
特許番号：特許第3421005号
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型基板と、該基板表面に形成された第1導電型とは反対の導電型の第2導電型高濃度拡散層と、前記第2導電型高濃度拡散層の下面全域に前記第1導電型基板よりも高濃度の第1導電型の第1拡散層と、前記第1拡散層の下面全域に前記第1拡散層よりも高濃度の第1導電型の第2拡散層とからなる半導体装置の静電気保護素子と、ソース・ドレイン、LDD領域およびゲート電極とからなるCMOS型の半導体素子とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記第1導電型基板上に前記ゲート電極を形成する工程と、不純物を導入することで、第1導電型の前記LDD領域の形成と同時に、前記静電気保護素子を形成する領域の前記基板表面に前記第1拡散層を形成する工程と、不純物を導入することで、第2導電型の前記ソース・ドレインの形成と同時に、前記第1拡散層内に前記第2導電型高濃度拡散層を形成する工程と、不純物を導入することで、第1導電型の前記ソース・ドレイン形成と同時に、前記第2拡散層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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