特許
J-GLOBAL ID：201103069919630934

バイポーラトランジスタ、およびその製造方法

発明者：
シャントル アラン

シャントル アラン について


出願人/特許権者：
シャートロー・ケージー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー

シャートロー・ケージー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-545198
特許番号：特許第4643005号
出願日： 1999年04月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 横方向の絶縁領域(2)に囲まれた真性コレクタ半導体領域(4)と、 その一部がエミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間に位置し、エミッタの両側で横方向の絶縁領域の上方へと延在する半導体層(6)と、 エミッタ(90)と真性コレクタ(4)との間の前記半導体層(6)中に形成される真性ベース領域(60)と、 外部ベース領域および外部コレクタ領域であって、それぞれ、半導体層(6)内に形成された第一の区域(61、63)であり、それぞれエミッタのいずれかの側で横方向の絶縁領域の第一の部分(200、201)の上方に位置し、横方向の絶縁領域の第二の部分(202)により電気的に隔離された第一の区域(61、63)と、真性コレクタ(4)中に延在する第二の区域(62、64)とを有する外部ベース領域および外部コレクタ領域と、 各々、前記横方向の絶縁領域の前記第一の部分の上方に対応する前記第一の区域と接触して配置されるベースおよびコレクタメタライゼーションと、 を含むことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/73 ( 200 6.01) ,  H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/737 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 29/72 Z ,  H01L 29/72 H
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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