特許
J-GLOBAL ID：201103069928539966

電流センスアンプのセンシング利得の調節可能な半導体メモリ装置

発明者：
申 相 雄

申 相 雄 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215054
公開番号（公開出願番号）：特開2002-117678
特許番号：特許第3903460号
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】相補ビットライン対からデータ入出力ラインと相補データ入出力ラインとからなる相補データ入出力ライン対に伝達されたメモリセルデータを感知増幅する電流センスアンプにおいて、 前記相補データ入出力ライン対のそれぞれにそのソースが連結され、そのゲートとドレインとが互いに交差接続され、前記相補データ入出力ライン対間の電流差を感知増幅する一対のセンシングトランジスタと、 前記一対のセンシングトランジスタの各ドレインに一端が連結される一対のロード抵抗と、 前記一対のロード抵抗の各両端にそのソースとドレインとが並列に連結され、そのゲートにビットラインセンシング信号が供給される一対の付加トランジスタと、 前記一対のロード抵抗の共通接続された他端にドレインが連結され、ソースが接地に連結され、ゲートにセンシングイネーブル信号が供給されるスイッチングトランジスタとを備え、 前記ビットラインセンシング信号は、ビットラインセンスアンプの活性化時に発生され、前記相補データ入出力ライン対の電圧差が所定の大きさになるまでの期間だけパルス信号として出力され、前記一対の付加トランジスタのドレイン・ソース間に電流経路を形成し、 前記スイッチングトランジスタは、前記センシングイネーブル信号に応答して、前記相補データ入出力ライン対を流れる電流を接地に流すことを特徴とする電流センスアンプ。
IPC (2件)：
G11C 11/409 ( 200 6.01) ,  G11C 11/419 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G11C 11/34 353 A ,  G11C 11/34 311
引用特許：
審査官引用 (4件)
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