特許

J-GLOBAL ID：201103070413068403

化合物半導体薄膜の製造装置およびこれを用いた化合物半導体薄膜の製造方法

発明者： 井上 浩伸 ,  田中 邦生 ,  北川 雅俊 ,  根上 卓之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 池内 寛幸 ,  佐藤 公博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069589
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269238
特許番号：特許第3639453号
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板ホルダに設置された基板上に化合物半導体薄膜を形成する化合物半導体薄膜の製造装置であって、 III-VI族化合物ターゲットと、Cu2Seターゲットと、前記III-VI族化合物ターゲットに接続されたRF電源と、前記Cu2Seターゲットに接続されたDC電源とを備えることを特徴とする化合物半導体薄膜の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/363 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/52 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/363 ,  C30B 23/08 P ,  C30B 29/52 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 31/04 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 薄膜太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195586   出願人：株式会社富士電機総合研究所
• 誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-135403   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-025970
  
• 特開昭63-192865
  

審査官引用 (4件)

• 薄膜太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195586   出願人：株式会社富士電機総合研究所
• 誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-135403   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-025970
  
• 特開昭63-192865