特許
J-GLOBAL ID:201103070423697689
光実装基板の製造方法及び光モジュールの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-266082
公開番号(公開出願番号):特開2002-076498
特許番号:特許第4671480号
出願日: 2000年09月01日
公開日(公表日): 2002年03月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板上に、光導波体を配設するための搭載用溝と、前記光導波体に光接続させる光半導体素子を配設する、単層から成る絶縁膜の凹部内に導体層及びハンダ層が順次積層されて成る搭載用導体とを形成し、前記搭載用溝を形成するマスクと、前記凹部を形成するマスクとを同一として前記凹部を前記搭載溝に対し位置合わせして形成する光実装基板の製造方法であって、
前記基板上面に前記絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第1搭載用溝パターンの開口部および実装用マーカー兼光半導体素子搭載用導体パターンの開口部をもつ感光膜を形成する工程と、
該感光膜をマスクとして用いて、前記第1搭載用溝パターンの開口部および前記実装用マーカー兼光半導体素子搭載用導体パターンの開口部により露出した領域の前記絶縁膜を前記基板表面が露出しないように除去する工程と、
前工程の前記感光膜を除去した後、前記実装用マーカー兼光半導体素子搭載用導体パターンの加工部に、前記搭載用導体を形成するための開口部をもつ感光膜を形成する工程と、前記実装用マーカー兼光半導体素子搭載用導体パターンの加工部の少なくとも1つの側面を斜面とするためのエッチング工程と、
前記実装用マーカー兼光半導体素子搭載用導体パターンの加工部に前記導体層を形成する工程と、
前工程の前記感光膜を除去した後、前記第1搭載用溝パターンの加工部に第2搭載用溝パターンの開口部をもつ感光膜を形成する工程と、
該感光膜をマスクとして用いて、前記第2搭載用溝パターンの開口部により露出した領域の前記絶縁膜を前記基板表面が露出するように除去する工程と、
前工程の前記感光膜を除去した後、前記基板表面が露出した領域に前記搭載用溝を形成する工程と、
前記導体層上に前記ハンダ層であるソルダバンプを形成するための開口部をもつ感光膜を形成する工程と、
該感光膜をマスクとして用いて、前記導体層上に前記ソルダバンプを形成する工程と、
前記基板表面の前記感光膜をすべて除去した後、光導波体ストッパー矩形溝を形成する工程と
を有することを特徴とする光実装基板の製造方法。
IPC (6件):
H01S 5/022 ( 200 6.01)
, G02B 6/42 ( 200 6.01)
, H01L 31/02 ( 200 6.01)
, H01L 31/0232 ( 200 6.01)
, H01L 31/12 ( 200 6.01)
, H01S 5/026 ( 200 6.01)
FI (6件):
H01S 5/022
, G02B 6/42
, H01L 31/02 B
, H01L 31/02 C
, H01L 31/12 G
, H01S 5/026
引用特許:
審査官引用 (8件)
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光素子搭載部構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-259658
出願人:日本電信電話株式会社
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光モジュールの光結合構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-229090
出願人:富士通株式会社
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受/発信光モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-002487
出願人:古河電気工業株式会社
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光半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-007517
出願人:沖電気工業株式会社
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光学装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-159141
出願人:富士通株式会社
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-192260
出願人:株式会社東芝
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-007893
出願人:株式会社日立製作所
-
光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-192264
出願人:株式会社東芝
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