特許
J-GLOBAL ID：201103070443694619
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270029
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077911
特許番号：特許第3571679号
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】内部にターゲットが固定された密閉可能な容器内に膜形成対象の基体を載置する第1の工程と、前記容器内を真空排気する第2の工程と、前記容器内に第1のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスを導入して前記第1のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスとのプラズマを生成し、前記ターゲットに負のバイアスを印加して前記プラズマにより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記ターゲットを構成する第1の原子と前記反応性ガスを構成する第2の原子とからなる薄膜を前記基体の主表面に形成する第3の工程と、前記容器内に第2のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスを導入して前記第2のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスとのプラズマを生成し、このプラズマにより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させることなく、このプラズマを前記薄膜に照射する第4の工程とを備え、前記プラズマは、電子サイクロトロン共鳴により生成されて発散磁界により運動エネルギーが与えられた電子サイクロトロン共鳴プラズマであり、前記第3および第4の工程では、前記電子サイクロトロン共鳴プラズマの一部を前記基体上に堆積する堆積物に照射することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 Y
, C23C 14/34 S
