特許
J-GLOBAL ID：201103070518524897
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150906
特許番号：特許第4472064号
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁表面に形成された薄膜トランジスタを用いた回路を有する半導体装置の製造方法において、
絶縁表面にゲート配線を形成する工程と、
前記ゲート配線を覆って絶縁性有機樹脂でなる平坦化膜を塗布法で形成する工程と、
前記平坦化膜に接して絶縁性無機膜を形成する工程と、
前記絶縁性無機膜上に非晶質成分を有する半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質成分を有する半導体膜に接して保護膜を形成する工程と、
前記非晶質成分を有する半導体膜を、レーザ光により、結晶化して結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記保護膜の少なくとも一部を通過させて前記結晶性半導体膜に不純物を添加して、ソース領域、ドレイン領域を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁性無機膜、前記非晶質成分を有する半導体膜、及び前記保護膜を、大気開放せずに順次積層して形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 627 A
, H01L 29/78 627 B
, H01L 29/78 627 G
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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