特許
J-GLOBAL ID：201103070789939588

インバータ装置

発明者：
齋藤 隆一

齋藤 隆一 について

, 
丹波 昭浩

丹波 昭浩 について

, 
中村 卓義

中村 卓義 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117592
公開番号（公開出願番号）：特開2002-315358
特許番号：特許第3646665号
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属ケースと、 前記金属ケースの内部に配置された制御基板及び絶縁基板と、 前記金属ケースの内部に設けられた冷却冷媒の流路と、 前記絶縁基板の一方の主面上に形成された表面薄膜金属板と、 前記絶縁基板の前記一方の主面とは反対側の他方の主面上に形成され、前記絶縁基板より大きい裏面薄膜金属板と、 前記表面薄膜金属板の上に配置されたパワー半導体素子と、 前記パワー半導体素子を覆う樹脂とを有するインバータ装置であって、 前記裏面薄膜金属板は、前記絶縁基板が形成された第1領域と該絶縁基板が形成されていない第2領域とを有し、 前記裏面薄膜金属板が該裏面薄膜金属板の周辺部において前記金属ケースに接合されることにより、前記冷却冷媒の流路は、該裏面薄膜金属板の前記絶縁基板側とは反対側の主面上に形成されており、 前記裏面薄膜金属板の前記周辺部は、該裏面薄膜金属板の前記第2領域であることを特徴とするインバータ装置。
IPC (6件)：
H02M 7/48 ,  H01L 23/427 ,  H01L 23/473 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 7/20
FI (7件)：
H02M 7/48 Z ,  H02M 7/48 M ,  H05K 7/20 M ,  H05K 7/20 R ,  H01L 23/46 B ,  H01L 23/46 Z ,  H01L 25/04 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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