特許

J-GLOBAL ID：201103071118283552

連続気体噴射による半導体薄膜蒸着装置

発明者： 崔 源 成 ,  李 相 鎭
出願人/特許権者： アイピーエス リミテッド
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136865
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031075
特許番号：特許第3069089号
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 所定の圧力が一定に維持される反応容器と、前記反応容器に気体を供給する少なくとも2つの反応気体供給部と、前記反応気体供給部及び/または前記反応容器の気体を外部に排出する排気ポンプと、前記反応容器に不活性気体を供給する不活性気体供給部と、前記反応気体供給部から前記反応容器及び/または前記排気ポンプに前記反応気体が流動するように連結する反応気体連結ラインと、前記不活性気体供給部から前記不活性気体が前記反応容器に流動するように連結する不活性気体連結ラインと、前記反応気体連結ライン及び/または不活性気体連結ラインに設けられて前記反応気体及び/または不活性気体が反応容器及び/または前記排気ポンプに適切に印加されるように制御される多数の弁とを具備する連続気体噴射による半導体薄膜蒸着装置において、前記反応気体供給部と前記反応容器との間に設けられて、その間の流体の流量を制御する第1流量制御弁と、前記反応気体供給部と前記排気ポンプとの間に設けられて、その間の流体の流量を制御する第2流量制御弁と、前記不活性気体供給部と前記反応気体連結ラインとの間の弁の両端に設けられて、前記不活性気体を前記反応気体連結ラインに少量ずつ流すバイパスラインとを具備することを特徴とする連続気体噴射による半導体薄膜蒸着装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

引用特許：

審査官引用 (2件)

• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-350511   出願人：日本航空電子工業株式会社
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-020568   出願人：ソニー株式会社