特許
J-GLOBAL ID：201103071255113974

電界効果型トランジスタ、半導体メモリ、表示素子、画像表示装置及びシステム

発明者：
曽根 雄司

曽根 雄司 について

, 
植田 尚之

植田 尚之 について

, 
中村 有希

中村 有希 について

, 
安部 由希子

安部 由希子 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-270240
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151370
出願日： 2010年12月03日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた1または2種類以上の元素と、Ga、Sc、Y、及びCeを除くランタノイドの中から選ばれた1または2種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、 前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、 前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、 を備え、 前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた1または2種類以上の元素と、Ga、Sc、Y、及びCeを除くランタノイドの中から選ばれた1または2種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (12件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  C01F 17/00
FI (16件)：
H01L29/78 617T ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 615 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 625 ,  H01L27/10 651 ,  H01L21/316 X ,  H05B33/14 A ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  C01F17/00 B
Fターム (191件)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA39 ,  2H092JA43 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KA20 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC12 ,  3K107CC29 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  4G076AA02 ,  4G076AB12 ,  4G076BA04 ,  4G076CA10 ,  4G076CA35 ,  4G076DA03 ,  4G076DA18 ,  5C094AA24 ,  5C094AA25 ,  5C094AA44 ,  5C094AA45 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA52 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EB05 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB16 ,  5C094FB19 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD14 ,  5F083AD15 ,  5F083AD42 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA22 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA53 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40 ,  5F101BA19 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BF09 ,  5F101BH02 ,  5F110AA12 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AC32 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BG51 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140CC03 ,  5F140CC09 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM