半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-431028
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191293
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】安定した高い性能を有し、高誘電体絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 Ge半導体領域と、前記Ge半導体領域に直接接して形成され、金属、ゲルマニウムおよび酸素を含有する絶縁膜領域とを具備することを特徴とする。前記Ge半導体領域はGe基板(11)であり、前記絶縁膜領域はゲート絶縁膜(12)である。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

Ge半導体領域と、前記Ge半導体領域に直接接して形成され、金属、ゲルマニウムおよび酸素を含有する絶縁膜領域とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (7件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301B , H01L21/283 C , H01L21/316 Y , H01L29/58 G , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (54件)：

4M104AA02 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104GG08 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BF12 , 5F058BF15 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F083EP01 , 5F083EP22 , 5F083EP52 , 5F083EP54 , 5F083EP56 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083PR33 , 5F101BA19 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BD30 , 5F101BH01 , 5F101BH03 , 5F101BH16 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA24 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BB16 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE16 , 5F140BG03

引用特許：

出願人引用 (1件)

ゲート構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-278818 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

審査官引用 (5件)

ゲート構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-278818 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-030791 出願人：株式会社東芝
特開昭62-035572

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