特許
J-GLOBAL ID：201103071414058602
電子放出装置の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127379
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324480
特許番号：特許第4622145号
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (A)支持体上に金属層を形成する工程と、
(B)前記金属層の表面と有機溶剤との反応によって、錯化合物層から成る炭素系薄膜選択成長領域を前記金属層表面に形成する工程と、
(C)前記炭素系薄膜選択成長領域上に炭素系薄膜から成る電子放出部を形成する工程、
から成ることを特徴とする電子放出装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02 ( 200 6.01)
, H01J 1/304 ( 200 6.01)
, H01J 31/12 ( 200 6.01)
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
, H01J 31/12 C
