特許
J-GLOBAL ID：201103071473199228
GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077267
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277435
特許番号：特許第3545962号
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板表面にアンチサーファクタント領域を選択的に形成し、アンチサーファクタント領域上部に空洞を形成しながらGaN系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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