特許
J-GLOBAL ID：201103071554260320
下部電極構造およびそれを用いたプラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365010
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252267
特許番号：特許第4463363号
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被処理体に対してプラズマ処理を施すための下部電極構造であって、
導電性材料からなる基台と、
この基台上に設けられ、被処理体が載置される誘電体層およびこの誘電体層の下に前記基台とは電気的に絶縁して設けられた電極を有する静電吸着部材と、
前記静電吸着部材の電極に一端が接続された第1の配線と、
第1の配線の他端に接続された直流電源と、
前記基台に一端が接続された第2の配線と、
第2の配線の他端に接続された高周波電源と、
第1の配線と第2の配線とを接続する第3の配線と、
第3の配線上に設けられたキャパシタと、
第2の配線上に設けられ、第2の配線と第3の配線との接続点と、前記基台との間に介在するキャパシタと、
を具備し、
前記第2の配線上に設けられたキャパシタと前記第3の配線上に設けられたキャパシタとは等しい容量を有することを特徴とする下部電極構造。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/683 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 G
, H01L 21/31 C
, H01L 21/68 R
, H05H 1/46 M
