炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤求馬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030477
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234800
特許番号：特許第3876628号
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】種結晶となる炭化珪素単結晶基板上に、炭化珪素原料ガスを供給して炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、容器内に、上記炭化珪素単結晶基板を配置し、上記容器内に砒素または砒素化合物を含有する部材を配置するか、あるいは、上記容器の少なくとも内表面に砒素または砒素化合物を含有させることにより、上記炭化珪素原料ガスに砒素または砒素化合物を添加することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：