高周波増幅装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：田澤英昭 , 加藤公延 , 濱田初音
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-535251
特許番号：特許第4083573号
出願日： 2000年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のNPNバイポーラトランジスタを増幅素子とした高周波増幅器と、上記高周波増幅器のベースバイアス端子に直接に接続され、上記高周波増幅器にベースバイアス電圧を供給する定電圧バイアス回路とを備えた高周波増幅装置において、上記定電圧バイアス回路は、上記第1のNPNバイポーラトランジスタとベース端子同士が接続され、該第1のNPNバイポーラトランジスタと共にカレントミラーを構成する第2のNPNバイポーラトランジスタと、ベース端子が上記第2のNPNバイポーラトランジスタのコレクタ端子に接続され、エミッタ端子が該第2のNPNバイポーラトランジスタのベース端子に接続され、上記第1および上記第2のNPNバイポーラトランジスタからなるカレントミラーのベース電流を補償する第3のNPNバイポーラトランジスタと、ベース端子およびコレクタ端子が共に上記第3のNPNバイポーラトランジスタのコレクタ端子に接続された第1のPNPバイポーラトランジスタと、コレクタ端子が上記第3のNPNバイポーラトランジスタのベース端子に接続され、上記第1のPNPバイポーラトランジスタとベース端子同士が接続され、該第1のPNPバイポーラトランジスタと共に、上記第3のNPNバイポーラトランジスタのコレクタ電流を基準電流とし、かつ、上記第2のNPNバイポーラトランジスタのコレクタ電流を決定するカレントミラーを構成する第2のPNPバイポーラトランジスタと、上記第1のPNPバイポーラトランジスタのエミッタ端子と電源供給端子との間に挿入された第1の抵抗と、上記第2のPNPバイポーラトランジスタのエミッタ端子と電源供給端子との間に挿入された第2の抵抗と、当該定電圧バイアス回路を起動する起動回路とを備え、上記第1および第2のPNPバイポーラトランジスタのサイズ比を、上記高周波増幅器の高周波入力信号が増加してベース整流電流が発生した際に上記高周波増幅器に供給するベースバイアス電圧に電圧降下が生じないように以下に示す条件式を満たす値に設定したことを特徴とする高周波増幅装置。但し、ΔVbはベースバイアス電圧の電圧降下、nは補正係数、kはボルツマン係数、Tは絶対温度、qは電荷、Isは飽和電流、β2は第1および第2のPNPバイポーラトランジスタの電流増幅率、Aは第1および第2のPNPバイポーラトランジスタのサイズ比、βは第1から第3のNPNバイポーラトランジスタの電流増幅率、Vbはベースバイアス電圧、ΔIbはベース整流電流である。

IPC (2件)：

H03F 3/24 ( 200 6.01) , H03F 1/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H03F 3/24 , H03F 1/02

引用特許：

審査官引用 (6件)

エミッタ接地増幅回路用バイアス回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221277 出願人：日本電気株式会社
特開平1-320804
特開平1-320804

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