特許

J-GLOBAL ID：201103072034055461

半導体装置の製造方法

発明者： 牧田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143228
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326176
特許番号：特許第3927756号
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 絶縁表面を有する基板上に形成された非晶質ケイ素膜の一部の領域に、その非晶質ケイ素膜の結晶化を促進するための触媒元素を導入する触媒導入工程と、 加熱処理を施して、上記触媒元素が導入された領域の非晶質ケイ素膜を結晶化して結晶性ケイ素膜にする加熱工程と、 光を照射して、上記加熱工程で結晶化された領域から上記基板と平行な横方向へ上記非晶質ケイ素膜の結晶化を進める光照射工程と、 上記光照射工程で結晶化された領域の結晶性ケイ素膜が、半導体装置を構成する能動領域の少なくとも一部になるように加工を行う素子化工程と、 を有し、 上記触媒導入工程で触媒元素が導入される領域は、上記非晶質ケイ素膜のうち触媒元素が導入されない領域を挟むかまたは囲む配置になっており、 上記加熱工程で残された未結晶化領域の形状は帯状または矩形状であり、 上記未結晶化領域の帯幅または短辺方向の幅は、上記加熱工程で結晶化された領域の結晶性が上記光照射工程で結晶化される領域の結晶性に引き継がれるように6μm以下に設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 627 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-128346   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-133633   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-139151   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-128346   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-133633   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-139151   出願人：シャープ株式会社