特許
J-GLOBAL ID：200903069320228048

半導体装置作製方法

発明者：
笠原 健司

笠原 健司 について

, 
河崎 律子

河崎 律子 について

, 
大谷 久

大谷 久 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128346
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025907
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 簡便な方法で、位置を制御して、結晶粒径の大きな結晶質半導体膜を得る方法を提供する。【解決手段】 絶縁体102上に非晶質半導体膜103を形成する工程と、前記非晶質半導体膜103上に絶縁膜104からなるマスクを形成し、前記マスクの開口部から露出した非晶質半導体膜の領域に結晶化を助長する元素を添加する工程と、前記添加工程の後、加熱処理を行い選択的に多結晶半導体領域103bを形成する工程と、波長が390〜600nmの範囲のレーザ光を照射して結晶質半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置作製方法。
請求項（抜粋）：
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜上に絶縁膜からなるマスクを形成し、前記マスクの開口部から露出した非晶質半導体膜の領域に結晶化を助長する元素を添加する工程と、前記添加工程の後、加熱処理を行い選択的に多結晶半導体領域を形成する工程と、波長が390〜600nmの範囲のレーザ光を照射して結晶質半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置作製方法。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H01S 3/00
FI (6件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01S 3/00 B ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (115件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  5C094AA07 ,  5C094AA22 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA11 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048BG07 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA12 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA01 ,  5F052FA02 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ12 ,  5F072YY06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP33 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (7件)
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