プラズマ処理装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：小谷悦司 , 植木久一 , 村松敏郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310099
公開番号（公開出願番号）：特開2002-115073
特許番号：特許第3980260号
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】円筒状の外周面を有し、その中心軸同士が略平行でかつ外周面同士が所定の隙間をおいて対向するように配置された一対の回転電極と、これらの回転電極をその中心軸回りにかつ互いに反対の向きに回転させる回転駆動手段と、前記回転電極同士の隙間に基材を通過させる送り手段とを備え、前記両回転電極の外周面上において互いに対向する位置に電極周方向に連続する溝が形成され、これらの溝同士の間に前記基材を通過させるように前記送り手段が構成され、この送り手段により送られる基材の表面と各回転電極との間に発生したプラズマへ反応ガスが供給されることにより、この反応ガスが化学反応を起こして前記基材が表面処理されるように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

C23C 16/54 ( 200 6.01) , C23C 16/505 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 16/54 , C23C 16/505 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (6件)

回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-201722 出願人：三洋電機株式会社, 森勇藏
可撓性フィルム用プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-162310 出願人：日本真空技術株式会社
薄膜製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-091293 出願人：株式会社富士電機総合研究所

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