高品質シリコン単結晶の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：森道雄 , 穂上照忠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158690
特許番号：特許第3783495号
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】融液からのシリコン単結晶引き上げ法において、引き上げる単結晶の周囲にヒーターないしはるつぼ壁面からの直接の輻射熱を遮蔽する熱遮蔽材を、その下端が融液面から50〜120mmとなる位置に置き、融液に対し0.08〜0.45Tの融液面に平行な水平方向の磁場を印加し、るつぼの回転速度を7min-1以下、単結晶の回転速度を13min-1以上とし、引き上げ中の固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが5mmを超える上凸状とし、単結晶内の引き上げ軸方向の温度勾配を融点〜1200°Cの間で中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにして引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：