薄膜トランジスタ及び表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-280144
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009689
出願日： 2009年12月10日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。【解決手段】ゲート電極層と、第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に接して設けられた前記第1の半導体層よりもキャリア移動度が低い第2の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第1の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第2の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層及び前記第1及び第2の半導体層に一部が接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第1の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層によって覆われており、前記第1の半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極層が接する部分のポテンシャル障壁は0.5eV以上である薄膜トランジスタを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に接して設けられた前記第1の半導体層よりもキャリア移動度が低い第2の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第1の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第2の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層及び前記第1及び第2の半導体層に一部が接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第1の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層と重畳し、前記第1の半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極層が接する部分のポテンシャル障壁は0.5eV以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , G02F 1/136 , G09F 9/30 , H01L 29/49 , H01L 29/423

FI (9件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 616V , H01L29/78 618C , H01L29/78 618Z , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L29/58 G

Fターム (114件)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA36 , 2H092KA02 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092NA22 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF08 , 4M104FF17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5C094AA06 , 5C094AA16 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094JA20 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110EE25 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM13 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ03 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

相補型薄膜半導体装置およびそれを用いた画像情報処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-063207 出願人：株式会社日立製作所
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-252520 出願人：株式会社フロンテック

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