特許
J-GLOBAL ID：201103072849757274

SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者：
武藤 大祐

武藤 大祐 について

, 
百瀬 賢治

百瀬 賢治 について

, 
小田原 道哉

小田原 道哉 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-283113
公開番号（公開出願番号）：特開2011-121847
出願日： 2009年12月14日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比C/Siが0.7〜1.2となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、1600°Cより高くかつ1800°C以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記SiCエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が1個/cm2以下となる。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が1個/cm2以下であることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。
IPC (6件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  C30B25/16 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  H01L21/205
Fターム (43件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077EC09 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE03 ,  4G077EH06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TC06 ,  4G077TC10 ,  4G077TC17 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA13 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE27 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045EB15 ,  5F045GB11 ,  5F045GB19
引用特許：
審査官引用 (2件)

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