半導体発光装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088918
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286444
特許番号：特許第4247937号
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】最上部にオーミックコンタクト層を有する半導体層を基板上に形成して島状にパターニングした後に、前記半導体層をコンタクトホールを有する第1の絶縁膜で被覆し、前記オーミックコンタクト層に前記コンタクトホールを介して電極を接続して形成する半導体発光装置の製造方法において、前記オーミックコンタクト層の一部が前記コンタクトホールから露出するように前記電極を形成すると共に、前記電極及び前記第1の絶縁膜をマスクとして、露出した前記オーミックコンタクト層の一部をエッチング除去し、しかる後前記コンタクトホールを第2の絶縁膜で被覆することを特徴とする、半導体発光装置の製造方法。

IPC (1件)：