特許

J-GLOBAL ID：201103073048375260

面発光型の半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 淳史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101516
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299761
特許番号：特許第3928695号
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に、複数の柱状部を有する半導体堆積層を形成する工程、 前記柱状部の周囲に樹脂系の材料からなる埋込み絶縁層を形成する工程、および、 前記半導体基板および該半導体基板上の層を分離してチップを形成する工程、を含み、 前記柱状部を有する半導体堆積層を形成する工程において、前記チップの境界領域に所定パターンの分離用半導体層を形成する工程を有し、該分離用半導体層は、前記チップの境界領域に不連続に形成され、該分離用半導体層を構成する部分半導体層の相互間には前記埋込み絶縁層と連続する絶縁層が形成され、 前記埋込み絶縁層を形成する工程において、前記分離用半導体層の少なくとも上面を露出させ、かつ、 前記チップを形成する工程において、前記分離用半導体層を用いて前記分離が行われる、面発光型の半導体発光装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/02 ( 200 6.01) ,  H01S 5/183 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01S 5/02 ,  H01S 5/183 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-203284   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-065772   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238012   出願人：古河電気工業株式会社