特許

J-GLOBAL ID：201103073235643562

半導体レーザ装置及び光ディスク再生記録装置

発明者： 蛭川 秀一 ,  大林 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  沖本 一暁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308713
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115640
特許番号：特許第4076333号
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaAs基板上に、下クラッド層のAlGaAs層、バリア層のInGaAsP層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層のAlGaAs層を積層してなる半導体レーザ装置であって、前記バリア層が引っ張り歪を有し、前記量子井戸層及び前記バリア層からなる活性領域が歪補償構造を有し、かつ前記量子井戸層がInxGa1-xAs1-yPyからなり、xが0.69以上、yが0.40以上である、発振波長が760nm以上800nm未満の半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  G11B 7/125 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面発光半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-320034   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319711   出願人：富士通株式会社