特許
J-GLOBAL ID：201103073307804434
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368562
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168771
特許番号：特許第3826776号
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に無電解Ni-Pめっき層がめっきされた金属体の上面に半導体素子をSnリッチ半田を介して接合してなり、前記半導体素子の全体並びに前記金属体の一部を除きその大部分を樹脂でモールドするように構成された半導体装置において、
前記無電解Ni-Pめっき層の厚み寸法を、前記金属体と前記無電解Ni-Pめっき層との界面に、半田付け時にPリッチ層が到達しないようにする厚み寸法に構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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