特許

J-GLOBAL ID：201103073556328421

ドライエッチング方法

発明者： 鈴木 晃子 ,  佐藤 明伸 ,  ブーレル エマニュエル ,  松尾 二郎 ,  瀬木 利夫 ,  青木 学聡
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (4件)： 中尾 直樹 ,  中村 幸雄 ,  草野 卓 ,  稲垣 稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416438
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175369
特許番号：特許第3816484号
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 原子あるいは分子が凝集したクラスターをイオン化して加速し、そのクラスターイオンビームを物質表面に照射することにより、物質表面の構成原子をエッチング除去するドライエッチング方法において、 上記クラスターが2種類以上の原子あるいは分子が凝集してなる混成クラスターとされ、 その混成クラスターに、Ar,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類の原子と、上記物質表面との反応により堆積して薄膜を形成する成分とが含まれており、 上記混成クラスターを生成するためのAr,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類のガスと、上記薄膜を形成する成分のガスとの体積比を1:1〜50:1の範囲内に設定することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/302 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/302 201 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 表面処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-281039   出願人：株式会社日立製作所