特許

J-GLOBAL ID：201103073597314672

半導体素子、半導体発光素子および半導体素子の製造方法

発明者： 林 伸彦 ,  狩野 隆司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106473
特許番号：特許第3316479号
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型の層とp型の層とが積層されたホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体層を有し、n型ガリウム砒素基板上に第1の電極層を介して前記窒化物系半導体層が前記p型の層側から接合されるとともに、前記n型の層の上面に第2の電極層が形成されたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及び半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-038118   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-148470   出願人：日亜化学工業株式会社