特許
J-GLOBAL ID：200903081769406420
半導体素子及び半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038118
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129984
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ等における共振器ミラーを容易に形成することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 立方晶型を有する半導体基板または半導体層をナイトライド系発光層または素子部分に接着または成長して、立方晶型を有する半導体基板の自然へき開性を用いてミラーを形成するものである。また、サファイヤなど、ナイトライド系発光層を成長させるために用いた成長基板は、AlNなどの層を挿入し、エッチング、リフトオフし、基板に導電性のものにすることにより直列抵抗を減少させ、かつ信頼性をも向上させたものである。
請求項（抜粋）：
六方晶型の半導体からなる素子部を有する半導体素子において、立方晶型の結晶部を前記素子部と一体にして備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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