シリコン単結晶ウェハの熱処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：木村高久 , 小幡義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077166
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264799
特許番号：特許第4414012号
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チョクラルスキー法により作製される空孔優勢領域および格子間シリコン優勢領域が面内に混在する完全結晶から切り出されたシリコン単結晶ウェハに対して最初に施す熱処理方法であって、熱処理の対象となるシリコン単結晶ウェハ中の酸素濃度を13×1017atoms/cm3以下にしておき、当該シリコン単結晶ウェハの初期投入熱処理温度を500°C以下とし、当該初期投入熱処理温度から「700°C〜900°C」の間で設定した到達温度までの温度範囲における昇温速度を1°C/min以下に設定することを特徴とするシリコン単結晶ウェハの熱処理方法。

IPC (3件)：