特許
J-GLOBAL ID：201103073641726975
電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井島 藤治
, 鮫島 信重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-023921
公開番号（公開出願番号）：特開2011-165735
出願日： 2010年02月05日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】本発明は電子ビーム描画装置に関し、より高精度の描画方法を提供することを目的としている。【解決手段】被描画材料上に、複数の描画面積率が異なるパターン及びそれを複数の露光量毎及び対物レンズ値毎にマトリクス状の配置で電子ビーム描画し、該被描画材料をベーク・現像処理して形成された評価パターンを作製する手段と、作製された評価パターンの描画線幅を計測した結果に基づいて対物レンズ値毎に露光量に対する描画線幅CDデータを作成する手段と、前記描画線幅CDデータをCDカーブ関数にフィッティングさせて描画線幅のブラーtbと、後方散乱係数ηと、描画材料を現像処理する時の解像しきい値Rthを求める手段と、描画線幅のブラーtbが最小となる最適対物レンズ値を求め、対物レンズ値を設定する手段と、設定された対物レンズ値のもとで、近接効果補正を行ないつつパターンデータに基づく図形描画を行なう手段とにより構成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被描画材料上にパターンデータを用いて電子ビーム描画装置により後方散乱係数ηと解像しきい値Rthを用いた近接効果補正を行いつつ図形を描画する電子ビーム描画装置の描画方法であって、
被描画材料上に、複数の描画面積率が異なる描画線幅及びそれを複数の露光量毎及び対物レンズ値毎にマトリクス状の配置で描画し、該被描画材料を現像処理して形成された評価パターンを作製する工程と、
作製された評価パターンの描画線幅を計測した結果に基づいて対物レンズ値毎に露光量に対する描画線幅CDデータを作成する工程と、
該描画線幅CDデータをCDカーブ関数にフィッティングさせて描画線幅のブラーtbと、後方散乱係数ηと、被描画材料を現像処理するときの解像しきい値Rthを求める工程と、
描画線幅のブラーtbが最小となる対物レンズ値を求め、対物レンズ値を対物レンズの強度に設定する工程と、
設定された対物レンズ値のもとで、前記求められた後方散乱係数ηと、解像しきい値Rthを用いて近接効果補正を行いつつパターンデータに基づく図形描画を行う工程と、
により構成されてなる電子ビーム描画装置の描画方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01J 37/305
H01L21/30 541M
, H01J37/305 B
5C034BB02
, 5C034BB08
, 5F056AA04
, 5F056BA05
, 5F056CB09
, 5F056CB33
, 5F056CC11
, 5F056EA05
