スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小越勇 , 木下洋平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318230
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131736
特許番号：特許第3628566号
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化インジウム結晶中にZnが固溶した又は未固溶のInリッチ相と酸化亜鉛結晶中にInが固溶した又は未固溶のZnリッチ相の2相の組織を備え、焼結体密度が6.5g/cm3以上であることを特徴とするインジウム-亜鉛系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：