特許
J-GLOBAL ID:201103073861827187
半導体装置の検査方法及び試料検査装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
筒井 大和
, 作田 康夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-174988
公開番号(公開出願番号):特開2002-368049
特許番号:特許第3955445号
出願日: 2001年06月11日
公開日(公表日): 2002年12月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 配線パターンが形成された半導体装置に対し、該半導体装置の表面に電子ビームを走査し、
前記配線パターン上の所望箇所に一方が接地された第1の探針と第2の探針とを接触させ、前記電子ビームの走査により前記第1の探針と前記第2の探針との間に流れる電流を計測し、
当該計測された電流値を画像表示のための輝度情報に変換し、前記電子ビームの走査と同期して表示することにより画像化し、
前記配線パターン上の欠陥を顕在化することを特徴とする半導体装置の検査方法。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
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