特許

J-GLOBAL ID：201103074028017321

レーザアニール装置およびレーザアニール方法

発明者： 鈴木 尚樹 ,  平田 教行 ,  清水 政俊 ,  東島 拓生 ,  高橋 宏明 ,  小松原 吉明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338511
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150410
特許番号：特許第3400396号
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被処理物が配置されるアニール室と、上記アニール室内に配置された被処理物のレーザ照射領域にレーザを照射するレーザ照射手段と、上記アニール室内に配置されているとともに、上記被処理物の内、上記レーザ照射領域と所定の間隔をおいて対向した端開口を有し、上記被処理物の内、上記レーザ照射領域を囲んだ筒状の雰囲気分離カバーと、上記雰囲気分離カバー内にガスを供給して上記雰囲気分離カバーの端開口と上記レーザ照射領域との間隔を通過するガスの層流を形成し、上記アニール室の内、上記雰囲気分離カバーに囲まれた上記レーザ照射領域近傍の雰囲気を酸素濃度が0.1%〜13%の雰囲気とするとともに、上記アニール室内を大気圧以上の圧力の雰囲気とするガス供給手段と、を備えたことを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/304 648 J ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭56-007436
  
• 特開昭64-028809
  
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-174206   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-177423
  
• 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012240   出願人：シャープ株式会社