特許
J-GLOBAL ID：201103074112819603
半導体層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-026201
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231644
特許番号：特許第3869662号
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地上の所定領域に、第1マスク層を形成する工程と、
前記下地上に、前記第1マスク層よりも広い幅を有する第2マスク層を形成する工程と、
前記第1マスク層および第2マスク層をマスクとして、前記下地上から前記第1及び第2マスク層上に至るまで半導体層を選択横方向成長させる工程と、
を備え、
前記半導体層を選択横方向成長させる工程において、前記第1マスク層上では前記半導体層を合体させて連続膜とすると共に、前記第2マスク上では前記半導体層がつながらずに開口部が形成されるように当該半導体層を成長させることを特徴とする半導体層の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 29/80 B
, H01S 5/323 610
