特許

J-GLOBAL ID：201103074209182529

磁気記憶装置

発明者： 梶山 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122882
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319663
特許番号：特許第4488645号
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に配置され、第1の方向に延在されたビット線と、 前記ビット線上に配置された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に配置され、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在された第1の書き込みワード線と、 前記第1の書き込みワード線を覆う第2の絶縁膜と、 前記第1の書き込みワード線と離間して前記第1の絶縁膜上に配置されかつ前記第2の絶縁膜の側面上に形成され、第1の固着層と第1の記録層と第1のトンネル絶縁層とを有し、前記第1の固着層、前記第1の記録層及び前記第1のトンネル絶縁層の面の方向が前記半導体基板の面の方向に対して垂直方向に形成された第1のトンネル磁気抵抗効果素子と、 前記第2の絶縁膜の上面上に形成されかつ前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子と接続され、前記第2の方向に延在された読み出しワード線と、 前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子の側面に配置され、前記第1のトンネル磁気抵抗効果素子を前記ビット線に接続するコンタントと を具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/10 447 ,  H01L 43/08 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気読出部及び/又はナノ・メモリ素子を使用する量子ランダム・アドレス・メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-275142   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-332280   出願人：三洋電機株式会社
• 強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-353295   出願人：ローム株式会社
• 半導体記憶装置及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365017   出願人：キヤノン株式会社