特許
J-GLOBAL ID：201103074445846721

半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の洗浄方法

発明者：
岩元 勇人

岩元 勇人 について

, 
小林 哲哉

小林 哲哉 について

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青山 哲男

青山 哲男 について

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安部 幸次郎

安部 幸次郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について

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三菱瓦斯化学株式会社

三菱瓦斯化学株式会社 について


代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326061
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134456
特許番号：特許第4482217号
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第四級アンモニウム重炭酸塩をハロゲン物質洗浄除去成分として含有する水溶液からなることを特徴とする半導体装置用洗浄剤。
IPC (6件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B08B 3/08 ( 200 6.01) ,  C11D 7/10 ( 200 6.01) ,  C11D 7/32 ( 200 6.01) ,  C11D 7/50 ( 200 6.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 647 A ,  B08B 3/08 Z ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  H01L 21/302
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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