特許
J-GLOBAL ID：201103074469187346

プラズマ処理装置

発明者：
横川 賢悦

横川 賢悦 について

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板橋 直志

板橋 直志 について

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田地 新一

田地 新一 について

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森 政士

森 政士 について

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鈴木 敬三

鈴木 敬三 について

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小野 哲郎

小野 哲郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (2件)： 特許業務法人 日東国際特許事務所 ,  小川 勝男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263153
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133641
特許番号：特許第3823001号
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガス導入部及び排気部をもつ真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、前記被加工試料の加工面と垂直方向に磁場を形成する磁場形成手段と、前記加工面に対向する位置に設置されるアース電位の平板の近傍にストリップラインからなるマイクロ波導入手段と、前記アース電位の平板及びストリップラインにマイクロ波電力を給電するマイクロ波導波手段とを有し、 前記ストリップラインで構成されるアンテナは、前記アンテナへの前記電磁波の給電点を交点として放射状に3本以上の奇数本配置され、前記給電点を前記アンテナ上の電磁波の電圧および電流分布の節となる位置以外の位置に配置せしめ、 前記真空チャンバー内の電磁波で気相中に導入されたガスをプラズマ化することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  C23F 4/00 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/302 101 D ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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