炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260216
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068761
特許番号：特許第4085603号
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、前記基板(1)上にエピタキシャル成長によって形成され、前記基板(1)よりも低濃度とされた第1導電型の第1半導体層(2)と、前記第1半導体層(2)上にエピタキシャル成長によって形成された第2導電型の第2半導体層(3)と、前記第2半導体層(3)上にエピタキシャル成長によって形成された第1導電型の第3半導体層(5)とを備えた半導体基板(6)を有し、該半導体基板(6)のセル部においては、前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(7)と、前記第1トレンチ(7)の内壁面にエピタキシャル成長によって形成された第1導電型のチャネル層(8)と、前記チャネル層(8)の上に形成された第2導電型の第4半導体層(9)と、前記第2半導体層(3)を第1ゲート領域(3a)とし、該第1ゲート領域(3a)に電気的に接続された第1ゲート電極(10)と、前記第4半導体層(9)を第2ゲート領域(9a)とし、該第2ゲート領域(9a)に電気的に接続された第2ゲート電極(11)と、前記第3半導体層(5)をソース領域(5a)とし、該ソース領域(5a)に電気的に接続されたソース電極(12)と、前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(14)とが備えられ、前記半導体基板(6)のうち、前記セル部の外周を囲むように構成される外周耐圧部においては、前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達するガードリングが備えられ、かつ、前記ガードリングは、前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第2トレンチ(20)と、該第2トレンチ(20)の内壁に備えられた第2導電型の第5半導体層(9)とを有して構成されていると共に、前記第2トレンチ(20)の内壁面から前記第1〜第3半導体層(2、3、5)に広がるように延設されたバナジウムのイオン注入による半絶縁性領域(16)を含んで構成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/337 ( 200 6.01) , H01L 29/808 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/80 C , H01L 29/80 P

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭53-104182
特開昭53-104182
特開昭54-066780

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