薄膜半導体装置及びその製造方法並びに当該装置を備える電子デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：渡邊隆 , 志賀正武 , 実広信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343686
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151988
特許番号：特許第3845569号
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成された半導体膜の一部をチャネル形成領域として用いる薄膜半導体装置の製造方法において、前記半導体膜の一部を局所的に加熱する局所加熱機構を前記基板上に形成する加熱機構形成工程と、前記加熱機構形成工程後に行われ、前記局所加熱機構上に前記半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、前記局所加熱機構により前記半導体膜が局所的に加熱された状態にて前記半導体膜を溶融結晶化させる結晶化工程と、前記半導体膜を島状に加工する素子分離工程と、前記島状に加工した半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記半導体膜の結晶成長が進行する第1方向に関して、前記局所加熱機構の中心近傍上の前記半導体膜に不純物イオンを注入する不純物イオン注入工程と、前記不純物イオン注入工程後、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に不純物イオンを注入しソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を形成する工程と、を含み、前記チャネル形成領域は、前記第1方向に関して、前記局所加熱機構に完全に含まれ、且つ、前記局所加熱機構の中心近傍の両側に所定の距離だけ離間するように配置されていることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , G02F 1/1368 ( 200 6.01) , H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 F

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平4-286335
特開平2-084773
特開平4-152676

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審査官引用 (2件)

特開平4-286335
特開平4-286335

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