特許

J-GLOBAL ID：200903060136683517

半導体装置の製造方法

発明者： 次六 寛明 ,  宮坂 光敏 ,  小川 哲也 ,  時岡 秀忠
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096228
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284595
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成された半導体装置の作製方法において、結晶性の良い大粒径の結晶粒から成る半導体膜から成り、チャネル形成層の結晶粒界の位置が制御された、特性が良く、ばらつきの少ない半導体装置を製造することができるプロセスを提供する。【解決手段】石英基板11上に、ゲート電極12を形成し、ゲート絶縁膜13を形成し、半導体膜14を形成し、半導体膜14側からYAG2ωレーザー15を照射する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体装置の製造方法において、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜側から温度300Kでの珪素膜に対する吸収係数が1×10-4nm-1以上且つ1×10-1nm-1以下である光を照射して半導体膜の結晶性を改良する工程とを、順に施す事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (33件)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BB02 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ12 ,  5F110HK03 ,  5F110HK33 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-282565   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-062971
  
• 半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189337   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085251   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-062971