特許
J-GLOBAL ID：200903096790711206
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001583
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200118
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 良質な多結晶半導体薄膜、良好な界面、良質のゲート絶縁膜を同時に形成するプロセスを与える。【解決手段】 非晶質半導体薄膜上に絶縁膜を形成した後レーザー照射を行い、該半導体膜をエッチングした後ゲート絶縁膜を形成する事によって半導体-ゲート絶縁膜構造を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に能動層となる半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜上に該半導体物質の化合物膜を形成し、しかる後に、該半導体薄膜及び該化合物膜に光ビームの照射を行う工程と、該化合物膜をエッチングする工程と、該化合物膜をエッチングした後にゲート絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/316
H01L 29/78 617 V
, H01L 21/20
, H01L 21/316 X
, H01L 29/78 627 G
