特許

J-GLOBAL ID：201103074679377725

光半導体装置

発明者： 坂野 英一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 片山 修平 ,  横山 照夫 ,  八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-263636
公開番号（公開出願番号）：特開2011-108910
出願日： 2009年11月19日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】 波長ロッカ部を有する光半導体装置において、波長制御の精度を向上させること。【解決手段】 本光半導体装置100は、半導体レーザ10と、半導体レーザ10の出力光が入力されるエタロン22を含む波長ロッカ光学系20と、波長ロッカ光学系20の出力に基づいて、半導体レーザ10の波長を目標値に制御する波長ロック制御部40と、エタロン22の温度を目標値に制御するエタロン温度制御部42と、エタロン温度の目標値の規定値と、予め外気温変動に対する波長ロッカ光学系20の出力変動量を測定することで得られた補正情報とが格納されてなる記憶部44と、外気温情報及び補正情報に基づき、エタロン温度の規定値を補正してエタロン温度の目標値を演算する補正部46と、を備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体レーザと、 前記半導体レーザの出力光が入力されるエタロンを含む波長ロッカ光学系と、 前記波長ロッカ光学系の出力に基づいて、前記半導体レーザの波長を目標値に制御する波長ロック制御部と、 前記エタロンの温度を目標値に制御するエタロン温度制御部と、 前記エタロン温度の目標値の規定値と、予め外気温変動に対する前記波長ロッカ光学系の出力変動量を測定することで得られた補正情報とが格納されてなる記憶部と、 外気温情報及び前記補正情報に基づき、前記エタロン温度の規定値を補正して前記エタロン温度の目標値を演算する補正部と、 を備えることを特徴とする光半導体装置。

IPC (1件)：

H01S 5/068

FI (1件)：

H01S5/0687

Fターム (10件)：

5F173MA02 ,  5F173MB03 ,  5F173MC15 ,  5F173MF04 ,  5F173MF17 ,  5F173SE01 ,  5F173SF08 ,  5F173SF33 ,  5F173SF46 ,  5F173SF68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 波長安定化装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-061646   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 波長安定化装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-338223   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 可変分散補償器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-371937   出願人：日立金属株式会社