特許
J-GLOBAL ID：201103074769153079

静電放電保護回路を有する半導体素子

発明者：
ヒュク-チャイ ジュン

ヒュク-チャイ ジュン について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063391
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297851
特許番号：特許第4123318号
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、 該半導体基板の上面に形成された入出力用のパッドと、 該入出力用のパッドにドレインが接続されて半導体基板の内部に形成されたPMOSトランジスタと、 該PMOSトランジスタのソース及びドレインのそれぞれと所定間隔離隔して、半導体基板の内部に前記PMOSトランジスタを取り囲むように配置されて形成され、電源端子に接続されるn+ 型拡散層と、 前記PMOSトランジスタのドレイン及び前記n+ 型拡散層間の導電経路と、前記PMOSトランジスタのソース及び前記n+型拡散層間の導電経路とを含み、前記PMOSトランジスタを取り囲むように半導体基板の内部に深く形成されたn+ 型拡散層と、 前記入出力用のパッドにドレインが接続したNMOSトランジスタと、 該NMOSトランジスタのソース及びドレインのそれぞれと所定間隔離隔して前記半導体基板の内部に形成され、接地端子と接続されるp+ 型拡散層と、を備えて構成されていることを特徴とする静電放電保護回路を有する半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • MOS型入力保護回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-037498   出願人：松下電子工業株式会社
  • 特公昭51-001394
  • 特開平4-326759
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